一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS及其制造方法

摘要

一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P‑epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P‑sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。本发明与现有双向TVS比，高浓度的多晶具有很小的电阻，可使结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。