一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法

摘要

本发明涉及半导体材料制造技术领域，具体公开一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法。所述提高碳化硅外延片载流子寿命的方法是在碳化硅外延片表面沉积厚度为100‑2000nm的碳原子层，然后进行退火处理。本发明的方法有效提高碳化硅外延晶圆载流子寿命，操作简单、效率高、成本低，具有极高的推广价值。