SOI半导体结构以及用于制造SOI半导体结构的方法

摘要

本发明涉及一种SOI半导体结构，其具有构造在背侧上的衬底层以及构造在正侧上的第二导电类型的半导体层，其中，在衬底层与半导体层之间布置有绝缘层，在半导体层中构造有具有由单片的半导体本体组成的传感器区域的三维霍尔传感器结构，半导体本体从下侧延伸到正侧，其中，在上侧上构造有相互间隔开的至少三个第一金属连接接通部，并且在下侧构造有相互间隔开的至少三个第二金属连接接通部，其中，在垂直于正侧的投影中，第一连接接通部相对于第二连接接通部错位，每个第一连接接通部和每个第二连接接通部分别构造在第二导电类型的高掺杂连接区域上，第一连接接通部和第二连接接通部分别具有关于垂直于半导体本体的正侧的对称轴的三重旋转对称性。