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一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法

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本发明公开了一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，包括：S01：选取MOSFET，得出端头电阻模型；S02：建立源漏电阻辅助测试结构，将所有源区和所有漏区分别短接，并分别测量源区漏区和衬底引出端之间的电阻R

著录项

公开/公告号CN111159964A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海集成电路研发中心有限公司;
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申请/专利号CN201911306564.7
发明设计人季祥海;刘林林;郭奥;
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申请日2019-12-18
分类号
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
入库时间 2023-12-17 08:55:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/3308 申请日:20191218

实质审查的生效
2020-05-15

公开

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