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气相生长装置及气相生长方法

摘要

实施方式的气相生长装置具备:反应室;基板保持部,设置于反应室之中,能够载置基板,具有能够具有规定的间隙地保持基板的外周的保持壁;过程气体供给部,设置于反应室的上方,具有第1区域和第2区域,该第1区域对反应室供给第1过程气体,该第2区域设置于第1区域的周围,能够对反应室供给与第1过程气体相比碳/硅原子比更高的第2过程气体,第2区域的内周直径为保持壁的直径的75%以上130%以下;侧壁,设置于反应室之中的、过程气体供给部与基板保持部之间的区域,内周直径为第2区域的外周直径的110%以上200%以下;第1加热器,设置于基板保持部的下方;第2加热器,设置于侧壁与反应室的内壁之间;及旋转驱动机构,使基板保持部旋转。

著录项

  • 公开/公告号CN111052308A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纽富来科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201880056079.6

  • 发明设计人 醍醐佳明;石黑晓夫;伊藤英树;

    申请日2018-08-08

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘英华

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2023-12-17 08:34:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20180808

    实质审查的生效

  • 2020-04-21

    公开

    公开

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