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三氯硅烷制造装置以及三氯硅烷的制造方法

摘要

本发明的目的为防止由在过滤器元件(80)部分产生的盐酸所引起的腐蚀及应力腐蚀破裂。三氯硅烷制造装置(1)包括生成三氯硅烷的反应装置(2)、以及去除反应残渣的过滤器装置(3),并且所述过滤器装置(3)具备由耐腐蚀性材料构成的过滤器元件。

著录项

  • 公开/公告号CN111108065A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社德山;

    申请/专利号CN201880060343.3

  • 发明设计人 弘田贤次;荻原克弥;

    申请日2018-11-16

  • 分类号

  • 代理机构北京信诺创成知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘金峰

  • 地址 日本山口县

  • 入库时间 2023-12-17 08:25:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/107 申请日:20181116

    实质审查的生效

  • 2020-05-05

    公开

    公开

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