一种半导体封装材料的制备方法以及由此得到的半导体封装材料

摘要

本发明涉及一种半导体封装材料的制备方法，包括步骤：提供以T单位的硅氧烷为主要成分的球形硅树脂微粉，其中，T单位＝RSiO3‑，R为可独立选择的碳原子1至16的烃基或氢原子；对该球形硅树脂微粉进行煅烧得到最频径为0.3至30微米的球形二氧化硅填料，该球形二氧化硅填料实质上不含最频径的1.5倍以上的大颗粒；将所述球形二氧化硅填料作为主粉紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料。本发明还提供一种根据上述的制备方法得到的半导体封装材料。本发明提供的半导体封装材料具有低粘度的同时确保无粗大颗粒。