首页> 中国专利> 使用可光成像电介质、堆积膜和电解电镀的零错位双通孔结构

使用可光成像电介质、堆积膜和电解电镀的零错位双通孔结构

摘要

描述了器件封装和形成器件封装的方法。器件封装包括导电焊盘上的电介质,以及导电焊盘的顶表面上的第一籽晶上的第一通孔。器件封装进一步包括电介质上的导电迹线,以及电介质上的第二籽晶层上的第二通孔。导电迹线连接到第一通孔和第二通孔,其中第二通孔连接到导电迹线的与第一通孔相对的边缘。电介质可以包括可光成像电介质或堆积膜。器件封装还可以包括在电介质上的导电迹线之前在电介质上的籽晶,以及在电介质、导电迹线以及第一和第二通孔上的第二电介质,其中第二电介质暴露第二通孔的顶表面。

著录项

  • 公开/公告号CN111201600A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201780095308.0

  • 发明设计人 A.阿列克索夫;V.斯特隆;B.劳林斯;

    申请日2017-12-30

  • 分类号H01L25/065(20060101);H01L25/07(20060101);H01L23/485(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/538(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张凌苗;陈岚

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 08:08:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-26

    公开

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