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一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法

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摘要

本发明涉及一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，基于氮化铝衬底的高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一氮化铝衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底；通入氨气（NH

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2. 一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P] . 中国专利： CN110911270A . 2020-03-24
3. Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride and their alloys by metal organic chemical vapor deposition [P] . 美国专利： US8455885B2 . 2013-06-04

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4. A method for the production of a homogeneous aluminum oxynitride, as well as from aluminum oxynitride produced by the process according to the existing body [P] . 德国专利： DE3232069A1 . 1983-03-24

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5. HIGH QUALITY α-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HYBRIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH ON NANOROD PATTERND SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS FABRICATING METHOD [P] . KR20210064908A . 2021-06-03

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