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具有内在去耦电容器的单元架构

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摘要

IC包括单元阵列和第一组端帽单元。单元阵列包括耦合到第一电压的第一组M

1. 具有内在去耦电容器的单元架构 [P] . 中国专利： CN110945655A . 2020-03-31
2. 去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P] . 中国专利： CN103247697A . 2013-08-14
3. CELL ARCHITECTURE WITH INTRINSIC DECOUPLING CAPACITOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019027627A1 . 2019-02-07

机译：具有内部去耦电容器的单元架构
4. Switch arrangement for operating LED, has coupling unit coupling capacitor with source when voltage at capacitor lies below predetermined value, and decoupling unit decoupling capacitor from source when voltage lies above value [P] . 德国专利： DE102010001807A1 . 2011-08-11

机译：用于操作LED的开关装置，具有当电容器上的电压低于预定值时将电容器与源极耦合的耦合单元，以及当电压超过该值时将电容器与源极去耦的耦合单元
5. Architectures for multi-electrode implantable stimulator devices having minimal numbers of decoupling capacitors [P] . 美国专利： US10391301B2 . 2019-08-27

机译：具有最少数量去耦电容器的多电极可植入刺激器设备的架构