公开/公告号CN110770899A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-07
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201880039841.X
发明设计人 古尔特杰·S·桑胡;马丁·C·罗伯茨;
申请日2018-07-06
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 07:30:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20180706
实质审查的生效
2020-02-07
公开
公开
机译: 用于动态随机存取存储器(DRAM)的混合存储单元,包含具有晶体管结构的特定基板,该晶体管结构具有漏极,源极,控制触点以及漏极和源极之间的沟道区等
机译: 用作静态随机存取存储器的半导体存储器件具有存储数据的存储单元,其中该存储单元包括具有负载元件和具有N沟道金属氧化物半导体晶体管的驱动元件的逆变器。
机译: DRAM存储器单元的生产工艺和单元布置具有垂直选择晶体管和沟道,沟道部分地包围沟槽孔并被字线包围