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凝聚态物理; 二维材料; 短沟道; 晶体管; 中国科学院物理研究所; 器件结构; 半导体材料; 博士研究生;
机译:以二维材料构筑纳米片膜研究进展
机译:超短(5 nm)沟道MoS 2 sub>晶体管的屏蔽:全频带量子传输研究
机译:带有二维沟道材料的负电容晶体管(二硫化钼,MoS_2)
机译:二维负电容场效应晶体管中的短沟道效应研究
机译:基于替代沟道材料以降低电源电压的先进场效应晶体管的理论研究。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:超短沟道si mOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的电导波动。
机译:垂直晶体管器件,其包括定位在装置的沟道区域中的二维(2D)材料和制造这种垂直晶体管器件的方法
机译:N沟道晶体管,具有定义沟道纵向的沟道面积,其中沟道区域具有结晶硅材料,该结晶硅材料具有沿沟道纵向排列的牵引变形分量
机译:晶体管,存储器结构和存储器阵列包含源/漏区和沟道区之间的二维材料
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