公开/公告号CN110824832A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;
申请/专利号CN201911101721.0
申请日2019-11-12
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹廷廷
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
入库时间 2023-12-17 07:25:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/72 申请日:20191112
实质审查的生效
2020-02-21
公开
公开
机译: 能够补偿卡盘平面误差的空白极紫外光辐射照相掩模,一种制造方法和一种具有后部抬升型前膜的基体
机译: 一种制造紫外光掩模的方法
机译: 一种形成第一掩模超突变结变容二极管的方法,该变容二极管使用经补偿的阴极触点