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一种极紫外光掩模的缺陷修复方法

摘要

本发明提供了一种极紫外光掩模的缺陷修复方法,包括以下步骤:步骤10:提供一基底,在所述基底上形成图形化的极紫外光刻胶层,其中,图形化的极紫外光刻胶层具有极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷;以及步骤20:对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺,所述极紫外光刻胶修复工艺用于修复所述极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷。本发明通过对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺,以消除图形化的极紫外光刻胶层中可能出现的极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷,从而提高极紫外光掩模工艺后的产品良率。

著录项

  • 公开/公告号CN110824832A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201911101721.0

  • 发明设计人 杨渝书;伍强;李艳丽;

    申请日2019-11-12

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

  • 入库时间 2023-12-17 07:25:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/72 申请日:20191112

    实质审查的生效

  • 2020-02-21

    公开

    公开

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