公开/公告号CN114021435A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202111241110.3
申请日2021-10-25
分类号G06F30/27(20200101);G06F16/583(20190101);G06N20/00(20190101);G06V30/422(20220101);G06V30/148(20220101);G06V30/186(20220101);
代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;
代理人王胜利
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 14:08:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-08
公开
发明专利申请公布
机译: 近场曝光用掩模,近场曝光用掩模的制造方法,近场曝光装置以及使用该掩模的近场曝光方法
机译: 避免近场光重叠的近场曝光掩模,其制造方法,使用近场曝光掩模的曝光设备和方法以及制造装置
机译: 避免近场光重叠的近场曝光掩模,其制造方法,使用近场曝光掩模的曝光设备和方法以及制造装置