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一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备

摘要

本发明公开一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备,涉及微电子技术领域。所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法,包括:获取预设个数的掩模版图对应的衍射矩阵数据库;基于所述掩模版图对应的衍射矩阵数据库对每个所述掩模版图进行切割分类处理,得到多个种类的特征图形;基于每个种类的所述特征图形,确定相应具备掩模衍射近场特性的卷积核;根据所述卷积核确定测试版图对应的近场数据,完成所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立,此模型针对极紫外光刻掩模衍射近场训练出一套有效的卷积核,并且可以适用于任何的入射光角度,同时还能保持与机器学习方法同一量级的计算精度但是耗费时间成本大幅度降低。

著录项

  • 公开/公告号CN114021435A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202111241110.3

  • 发明设计人 景旭宇;韦亚一;董立松;

    申请日2021-10-25

  • 分类号G06F30/27(20200101);G06F16/583(20190101);G06N20/00(20190101);G06V30/422(20220101);G06V30/148(20220101);G06V30/186(20220101);

  • 代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人王胜利

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 14:08:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    公开

    发明专利申请公布

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