法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-10
授权
授权
2011-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110301
实质审查的生效
2011-08-31
公开
公开
机译: 具有栅极结构的场效应晶体管,该栅极结构的第一部分在沟道区的中心部分上方,并且具有第一有效功函数,第二部分在沟道区的边缘上方,并且具有第二有效功函数
机译: 具有具有凹陷的功函数金属层的栅极的场效应晶体管(FET)及其形成方法
机译: 半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)