一种表面电极离子阱与硅光器件的集成结构及三维架构

摘要

本发明提供表面电极离子阱与硅光器件的集成结构，包括晶圆、硅光栅和硅结构，刻蚀外延硅结构上方的第一介质层以形成外延窗口，通过外延窗口自硅结构外延硅或锗，离子注入及退火后形成硅基光电探测器；自第二介质层向下形成面入射型硅基光电探测器的第一接触孔；自第三介质层向下形成硅通孔；于第四介质层形成若干电极，电极包括与硅基光电探测器连通的第一电极，以及表面电极离子阱的第二电极；自第一电极的底部分别向下形成与第一接触孔和硅通孔连通的第二接触孔和第三接触孔；自第二电极的底部向下形成与硅通孔连通的第三接触孔；硅通孔底部具有与其连通的第一微凸块下金属或第一微凸块。本发明还提供一种三维架构。