公开/公告号CN110854025A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201911120086.0
发明设计人 杨妍;
申请日2019-11-15
分类号H01L21/48(20060101);H01L23/528(20060101);
代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;
代理人王胜利
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 07:13:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20191115
实质审查的生效
2020-02-28
公开
公开
机译: 硅光学适配器板和三维架构的集成方法和表面电极离子阱,硅光学装置和三维架构,集成结构和三维架构
机译: 一种集成的硅-锗-异质双极trani栅极和集成的硅-锗异质双极晶体管的生产方法。
机译: 一种半导体集成电路的制造方法,该方法包括:使用第一光掩模对半导体衬底进行图案化,该第一光掩模使用金属来阻挡光;使用第二光掩模对同一衬底进行图案化,该第二光掩模使用有机树脂来阻挡光。