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一种硅光转接板及三维架构的集成方法

摘要

本发明提供硅光转接板的集成方法,包括步骤:在晶圆上完成硅光器件的波导刻蚀、外延、离子注入和热电极制备;在硅光器件的顶层沉积第一介质层并化学机械抛光,形成热光器件和/或硅光有源器件的第一接触孔;沉积第二介质层形成硅通孔;沉积第三介质层形成与热光器件和/或硅光有源器件对应的电极;电极对应第一接触孔和硅通孔,自电极的底部向下形成第二接触孔和第三接触孔;化学机械抛光并沉积第四介质层,第四介质层开设键合焊盘窗口并形成第一微凸块下金属或第一微凸块;硅通孔露出并沉积钝化层;刻蚀钝化层形成硅通孔的钝化层窗口,并形成重布线层和第二微凸块下金属或第二微凸块。本发明还提供三维架构的集成方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110854025A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201911120086.0

  • 发明设计人 杨妍;

    申请日2019-11-15

  • 分类号H01L21/48(20060101);H01L23/528(20060101);

  • 代理机构11628 北京知迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人王胜利

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 07:13:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20191115

    实质审查的生效

  • 2020-02-28

    公开

    公开

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