能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多晶硅与屏蔽栅。本发明通过在屏蔽栅两侧设置阶梯形氧化层和沟槽底层注入第二导电类型体区，可降低电场峰值分布，进而提高器件耐压；与传统屏蔽栅器件结构相比，本发明的器件具有更低的导通电阻、更低的输入和输出寄生电容值、更低的反向恢复电流峰值和恢复软度特性；本发明的器件可减小芯片面积，降低芯片成本。