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张晓菊; 任红霞; 马晓华; 郝跃;
西安电子科技大学微电子研究所;
MOSFET; 小尺寸效应; 深亚微米槽栅结构; MOS器件; 特性;
机译:以氧化f为栅介电层的界面硅酸盐层的材料特性及其对MOS器件电学特性的影响
机译:具有Pt / Ta_2O-5栅叠层的金属氧化物半导体(MOS)器件的电学和结构特性
机译:具有Pt / Ta_2O_5栅堆叠的金属氧化物半导体(MOS)器件的电和结构特性
机译:栅电极和势垒高度对HfO / sub 2 / MOS器件的击穿特性和威布尔斜率的影响
机译:一,量子尺寸对小金属颗粒光学性能的影响。二。高压下分子氢和金属氢结构特性的哈特福克变异处理
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:位错对siC mOs器件中栅氧化层和高可靠性ONO电介质的影响
机译:全尺寸风洞对槽式污秽物对轻型双引擎飞机气动特性影响的研究
机译:具有具有小的平均多晶硅晶粒尺寸的栅电极层的半导体器件n沟道型MOS晶体管
机译:基于第一原理的MOS器件薄栅氧化膜隧穿特性的MOS分析方法
机译:具有n沟道型MOS晶体管的半导体器件,该n沟道型MOS晶体管的栅极电极层具有小的平均多晶硅晶粒尺寸
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