SiCトレンチMOSFET内蔵pinダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性

摘要

チャネル長の異なる1.2kV級SiC IE-UMOSFETを用い、内蔵pinダイオードの逆回復特性の負ゲートバイアスの依存性を評価解析した。その結果、チャネル長0.8μm素子の場合、負ゲートバイアスの値に依らず逆回復特性およびターンオン損失は変化しないが、チャネル長04μm素子は、チャネル部からのもれ電流により、これら特性は負ゲートバイアスに依存することがわかった。