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用于半导体处理期间的微波腔体中均匀热分布的方法和设备

摘要

此处提供用于整个半导体批料上的均匀热分布的方法和设备。根据一个实施方式,用于半导体处理的微波炉,包含:热外壳,具有腔体和多个输入通口;功率源,配置成经由多个输入通口将微波信号提供至热外壳的腔体;移相器,设置于功率源与输入通口之间,其中移相器配置成在提供至移相器的两个或更多个信号之间改变相位差;和控制器,通信耦合至移相器,且配置成控制两个或更多个信号之间的相位差。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20180503

    实质审查的生效

  • 2020-01-07

    公开

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