用于形成栅极间隔件的方法以及半导体器件

摘要

本公开涉及用于形成栅极间隔件的方法以及半导体器件。一种方法包括：在晶片的半导体区域上方形成虚设栅极堆叠，以及在虚设栅极堆叠的侧壁上使用原子层沉积(ALD)沉积栅极间隔件层。沉积栅极间隔件层包括执行ALD循环以形成电介质原子层。ALD循环包括将甲硅烷基化甲基引入晶片、清除甲硅烷基化甲基、将氨引入晶片、以及清除氨。