一种氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构

摘要

一种氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。提供了一种方便加工，提高检测可靠性的氮化镓MOSFET封装应力应变分布感测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的封装层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、覆盖在衬底底面上的绝缘层以及制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。所述电极层的材料为金，所述引线框架的材料为铜或者铜合金。本发明的氮化镓MOSFET封装应力应变感测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片的制备工艺和封装工艺兼容，制备过程简单易行。