延长在PECVD工艺腔室中接地带使用寿命

摘要

一种基板处理腔室(102)包括多个接地带(130)，所述多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。所述接地带(130)的第一端(234)从所述接地带(130)的第二端(236)竖直地偏移。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个陶瓷板(590)，所述一个或多个陶瓷板耦接到基板支撑件(118)的外周边以减少在腔室壁(106)、基板支撑件(118)和接地带(130)上的膜沉积。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个接地带(130)，所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。每个接地带(130)在其一端或两端包括L型挡块(462、472)以减小所述接地带(130)的暴露长度。所述设备延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。