一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法

摘要

本发明公布了一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法，属于非稀土永磁材料领域，其步骤为：将磁控溅射腔体真空抽至低于5×10‑5 Pa；利用永磁靶头与成品的Mn3Ga靶，使用直流电源的恒定功率模式功率固定为60W，通入Ar气体气压为1.0 Pa条件下，在Si/SiO2衬底上溅射10 min得到300 nm的Mn3Ga薄膜；制备完成后直接在真空环境下进行退火，退火温度为500 oC~600 oC，退火时间为20 min。本发明通过极为简单的制备方法即可获得具有巨大矫顽力、适中的饱和磁化强度以及成本低廉的非稀土永磁Mn3Ga薄膜，有助于推进非稀土永磁体的开发及利用。