基于选择性刻蚀的无光刻制备导电薄膜图形的装置及方法

摘要

本发明公开了基于选择性刻蚀的无光刻制备导电薄膜图形的装置及方法，包括以下步骤：S1：将导电薄膜连接到电源正极，导电薄膜充当电化学刻蚀反应阳极；S2：将步骤S1的导电薄膜的基片平放在XY水平位移台上；S3：把装有电解液和阴极的注射器挂载到高度可调的Z轴位移台上，并用微管与注射器的喷嘴相连；S4：调整步骤S3注射器的活塞的压力，使注射器里的电解液充满步骤S3所述的微管；S5：调整Z轴位移台高度，使微管底端电解液的液滴接触导电薄膜；S6：通电，使导电薄膜发生阳极氧化刻蚀反应，同时控制XY水平位移台运动，带动导电薄膜移动，导电薄膜发生阳极氧化刻蚀反应的位置相应移动，其移动路径最终形成导电薄膜的阳极氧化图形。