法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-16
授权
授权
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/56 申请日:20150109
实质审查的生效
2015-04-08
公开
公开
机译: 使用高性能晶体管和高可靠性I / O晶体管生产混合电压CMOS的掩模数量减少的工艺
机译: 新颖的混合电压CMOS工艺,可通过减少掩模步骤实现高可靠性和高性能内核和I / O晶体管
机译: 新颖的混合电压CMOS工艺,可通过减少掩模步骤实现高可靠性和高性能内核和I / O晶体管