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一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源

摘要

本发明公开了一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源,包括:启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路;其中,所述启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD相连;所述启动电路与自偏置电压产生电路均与主偏置电流产生电路相连;该自偏置电压产生电路利用与主偏置电流产生电路之间的反馈产生稳定的偏置电压传输给主偏置电流产生电路;该主偏置电流产生电路与基准电压产生电路相连,由该基准电压产生电路输出低功耗低温度系数的基准电压Vref。本发明公开的CMOS基准电压源在CMOS工艺上易于实现,具有良好的兼容性,且可在低电压下具有高性能和高可靠度。

著录项

  • 公开/公告号CN104503530B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN201510012286.X

  • 发明设计人 黄森;林福江;

    申请日2015-01-09

  • 分类号

  • 代理机构北京凯特来知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑立明

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-16

    授权

    授权

  • 2015-05-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20150109

    实质审查的生效

  • 2015-04-08

    公开

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