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将单晶直径控制为给定直径的方法

摘要

在由熔体提拉单晶期间将单晶直径控制为给定直径的方法,该熔体包含在坩埚中并且在单晶边缘的相界处形成弯月面,其中所述弯月面的高度对应于在相界与弯月面之外的熔体表面水平之间的距离,所述方法包括重复地实施以下步骤:确定弯月面上的亮环的直径;在考虑亮环直径及考虑亮环直径与弯月面高度及与单晶直径本身的相关性的情况下计算单晶直径;及基于所计算的单晶直径与单晶的给定直径之差计算至少一个用于控制单晶直径的操纵变量。

著录项

  • 公开/公告号CN104233456A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN201410249799.8

  • 发明设计人 T·施罗克;

    申请日2014-06-06

  • 分类号C30B15/22(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人李振东;过晓东

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 03:49:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/22 申请公布日:20141224 申请日:20140606

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/22 申请日:20140606

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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