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施锦行;
中南工业大学应用物理与热能工程系;
大直径; 硅单晶; 磁拉法; 控氧;
机译:生长缺陷对不同直径Cz-Si晶体中氧析出物结构的影响
机译:大直径,深井竖井采用计算机化的高效水下开挖技术,采用自动沉箱法施工大直径,大深度的沉箱。
机译:极端缺氧氧氮掺杂CZ硅单晶的氧沉淀行为
机译:用于合成生物学的微流控技术:开发用于研究单细胞和大种群中的基因网络的技术。
机译:注入碳离子的Cz和FZ硅晶体中氧配合物的结构和电学性质
机译:生长缺陷对不同直径Cz-si晶体中氧沉淀物结构的影响
机译:硅单晶中的氧杂质
机译:基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸
机译:控制CZ生长过程中CZ生长的硅单晶侧表面引起的氧簇聚集和点缺陷的形成
机译:控制CZ生长过程中硅单晶侧面的聚集点缺陷和氧团簇的形成
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