一种可温控调节渐变量子垒层中In含量的LED外延结构

摘要

本发明提供了一种可温控调节渐变量子垒层中In含量的LED外延结构，自下而上依次包括：衬底，GaN成核层，GaN缓冲层，n-GaN层，MQW有源层，p-GaN层以及p型接触层；所述MQW有源层由若干对InGaN/GaN量子垒层和InGaN量子阱层组成，所述InGaN/GaN量子垒层中In组分值呈线性下降再线性上升趋势。本发明的有益效果主要体现在：通过运用在整个量子阱垒结构段进行In组分渐变，大幅减少或抵消有源层中每个量子阱的内建极化电场带来的电子或空穴的空间波函数分离，提升电子，尤为空穴的俘获几率。本发明的外延结构在中高功率器件应用上效果更为明显。