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平晨; 贾志刚; 董海亮; 张爱琴; 许并社;
太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;
太原理工大学轻纺工程学院,太原030024;
陕西科技大学,材料原子·分子科学研究所,西安710021;
量子点/量子阱复合结构; V型坑; 量子限制斯塔克效应; 非辐射复合中心; 内量子效率; 金属有机化学气相沉积;
机译:势垒层生长之前的温度上升时间在InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特性中的作用
机译:通过耦合的InGaN / GaN量子阱和量子点结构提高绿色InGaN量子点的内部量子效率
机译:势垒层沉积时间对高效绿色发光InGaN / GaN多量子阱的光学和结构性能的影响
机译:IngaN量子阱和量子点结构中量子点状定位中心的比较研究
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:量子阱生长温度对在绿色和蓝色光谱区域发射的InGaN / GaN多量子阱的复合效率的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:在量子阱层和势垒层中均具有三元合金材料的应变量子阱结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有多个量子阱结构的光学半导体器件,例如LED,具有形成超晶格的交替阱层和势垒层
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