首页> 中国专利> 面发射激光二极管、面发射激光二极管阵列、光学扫描设备和图像形成设备

面发射激光二极管、面发射激光二极管阵列、光学扫描设备和图像形成设备

摘要

一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100),包括:基板(101)及形成于基板上的台结构,该台结构中包含电流限制结构,其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域,该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物,且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。

著录项

  • 公开/公告号CN101356703B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社理光;

    申请/专利号CN200780001450.0

  • 发明设计人 伊藤彰浩;佐藤俊一;

    申请日2007-08-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王冉

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-09-26

    授权

    授权

  • 2009-03-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-28

    公开

    公开

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