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非易失性存储器中不插入擦除的多个写入操作

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摘要

一种要由数据存储设备(102)执行的方法，包括将第一数据(160)写入至非易失性存储设备(104)中的一组存储元件(106)。基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件(108)中的第一数据值，将所述每个特定存储元件分配至第一状态集合(148)的特定状态。所述方法还包括用第二数据(162)覆写该组存储元件中的所述第一数据(160)。基于要被存储在该组存储元件的每个特定存储元件(108)中的第二数据值，将所述每个特定存储元件分配至第二状态集合(150)的特定状态。至少一个状态(142)被包括在所述第一状态集合(148)中，并且被排除在所述第二状态集合(150)之外。

著录项

公开/公告号CN104285256A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-14

原文格式PDF
申请/专利权人桑迪士克科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201380022817.2
发明设计人 O.H.比森;
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申请日2013-03-27
分类号G11C11/56;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人万里晴
地址美国得克萨斯州
入库时间 2023-12-17 03:27:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/56 申请公布日:20150114 申请日:20130327

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-14

公开

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相似文献

专利
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1. 非易失性存储器中不插入擦除的多个写入操作 [P] . 中国专利： CN104285256A . 2015-01-14
2. 用于执行非易失性存储器件中的擦除操作的方法 [P] . 中国专利： CN101447231A . 2009-06-03
3. Nonvolatile memory apparatus having a processor and plural memories one or more of which is a nonvolatile memory having circuitry which performs an erase operation and an erase verify operation when the processor specifies the erase operation mode to the nonvolatile memory [P] . 美国专利： US7372741B2 . 2008-05-13

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4. METHOD OF WRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20200006705A . 2020-01-21

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