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Nonvolatile memory recovery after power failure during write operations or erase operations

机译:写入操作或擦除操作中掉电后的非易失性存储器恢复

摘要

A method for recovery after a power failure. The method generally includes a step of searching at least some of a plurality of pages of a memory to find a first erased page in response to an unsafe power down. A step may move stored data located between a particular word line in the memory that contains the first erased page and a previous word line that is at least two word lines before the particular word line. Another step may write new data starting in a subsequent word line that is the at least two word lines after the particular word line that contains the first erased page.
机译:停电后的恢复方法。该方法通常包括以下步骤:响应于不安全的断电,搜索存储器的多个页面中的至少一些页面以找到第一擦除页面。步骤可以在位于包含第一擦除页的存储器中的特定字线和在该特定字线之前至少两个字线的前一个字线之间移动位于存储器中的特定字线之间的存储的数据。另一步骤可以从随后的字线开始写入新数据,该后续的字线是在包含第一擦除页面的特定字线之后的至少两条字线。

著录项

  • 公开/公告号US10048879B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEAGATE TECHNOLOGY LLC;

    申请/专利号US201615298636

  • 发明设计人 ZHENGANG CHEN;EARL T. COHEN;ALEX G. TANG;

    申请日2016-10-20

  • 分类号G06F3/06;G11C7/24;G11C8/20;G11C11/56;G11C16/10;G11C16/22;G11C16/26;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:05:27

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