包括用于保持物体的支撑件的光刻装置、以及用于在光刻装置中使用的支撑件

摘要

一种光刻装置具有支撑件(S)，支撑件设置有用于保持物体(W)的突节(BR)。支撑件已经采用光刻制造方法制造，例如MEMS技术，以便于形成其取向或位置为单独电可控的突节。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2012年1月30体提交的美国临时申请 61/592,243的优先权，并且该美国临时申请通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种包括用于保持物体的支撑件的光刻装置，以及 涉及一种被配置用于在光刻装置中使用的支撑件。

背景技术

光刻装置是将所需图案应用至衬底上、通常应用至衬底的目标 部分上的机器。光刻装置可以例如用于制造集成电路(IC)。在这种 情况中，备选地被称作掩模或者掩模版的图案形成装置可以用来产 生将要形成在IC的单独的层上的电路图案。该图案可以被传递至衬 底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或若干管芯的一部 分)上。图案的传递通常经由向设置在衬底上的辐射敏感材料(抗 蚀剂)上成像来实现。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻 目标部分的网络。传统的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描 器，在步进器中通过将整个图案立刻曝光到目标部分上而辐射每个 目标部分，在扫描器中通过经由在给定方向(“扫描”方向)上的辐 射束扫描图案而同时平行于或者反平行于该方向同步扫描衬底来辐 射每个目标部分。也有可能通过将图像压印在衬底上而将图案从图 案形成装置传递至衬底。

光刻装置可以具有支撑件以用于以严格的平整度要求来支撑诸 如衬底或掩模之类的物体。温度改变、物体的形变、支撑件和/或物 体的污染、支撑件的磨损可能对平整度要求具有有害效果。

发明内容

希望的是提供一种用于光刻装置中的物体的支撑件，该支撑件 以充分的平整度支撑物体。

本发明的实施例涉及一种光刻装置，其包括用于保持物体的支 撑件。支撑件具有第一部分，第一部分具有当支撑件保持物体时面 向物体的第一上部主表面。支撑件具有第二部分，第二部分具有面 向第一部分的第一底部主表面的第二上部主表面。第二上部主表面 和第一底部主表面借由多个分立的支撑壁而相互间隔开。支撑件具 有从第一上部主表面延伸的多个突节。多个突节中的第一突节具有 第一顶表面，第一顶表面操作用于当支撑件保持物体时接触物体。 多个突节中的第二突节具有第二顶表面，第二顶表面操作用于当支 撑件保持物体时接触物体。第一顶表面具有相对于第二上部主表面 的第一位置，并且具有相对于第二主表面的第一取向。第二顶表面 具有相对于第二上部主表面的第二位置，并且具有相对于第二上部 主表面的第二取向。光刻装置包括控制器，控制器被配置用于以下 项中的至少一项：当支撑件保持物体时相互独立地控制第一位置和 第二位置；以及当支撑件保持物体时相互独立地控制第一取向和第 二取向。

在另一实施例中，第一下部主表面容纳第一突节下方的第一电 极，并且第二上部主表面容纳面向第一电极的第二电极。控制器操 作用于经由控制第一电极和第二电极之间的电容性力来控制第一位 置和第一取向中的至少一个。

在另一实施例中，第二电极包括多个电隔离部分，并且控制器 操作用于经由控制多个电隔离部分中的相应电隔离部分与第一电极 之间的电容性力的相应分量来控制第一位置和第一取向中的至少一 个。

在另一实施例中，第一部分容纳传感器，传感器被配置用于感 测第一位置的第一改变和第一取向的第二改变中的至少一个，以及 用于提供表示第一改变和第二改变中的至少一个的传感器输出信 号。控制器操作用于取决于传感器输出信号来控制第一位置和第一 取向中的至少一个。

在另一实施例中，第二上部主表面容纳停止件，停止件被配置 用于限制第一位置的第一改变和第二位置的第二改变中的至少一 个。

在另一实施例中，第一上部主表面容纳加热器和温度传感器中 的至少一个，加热器操作用于局部产生热量，温度传感器操作用于 感测支撑件和物体中的至少一个的局部温度。

在另一实施例中，支撑件采用光刻制造方法制造。

本发明也涉及一种被配置用于在如上所述的光刻装置中使用的 支撑件。支撑件可以已经采用光刻制造方法制造。合适的光刻制造 技术的示例是用于制造集成电子电路装置所采用的技术，也即半导 体器件制造技术。在此需要注意的是，这种光刻制造技术正用于制 造微机电系统(MEMS)。

附图说明

将仅借由示例的方式，参考所附示意性附图来描述本发明的实 施例，其中对应的附图标记指示对应的部件，并且其中：

图1示出了根据本发明的实施例的光刻装置；

图2示出了根据实施例的用于在图1的光刻装置中使用的支撑 件；以及

图3示出了根据另一实施例的用于在图1的光刻装置中使用的 支撑件。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该 装置包括：被配置用于调整辐射束B(例如UV辐射或任何其它合适 的辐射)的照明系统(照明器)IL、被构造用于支撑图案形成装置 (例如掩模)MA并且连接至被配置用于根据特定参数精确地定位图 案形成装置的第一定位装置PM的掩模支撑结构(例如掩模台)MT。 该装置也包括被构造用于保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并 且连接至被配置用于根据特定参数精确地定位的第二定位装置PW 的衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑件”。该装置进一步包括 被配置用于将通过图案形成装置MA被赋予至辐射束B的图案投影 到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统 (例如折射投影透镜系统)PS。

照明系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁 性、电磁、静电或其它类型的光学部件，或者其任意组合，以用于 引导、成形或者控制辐射。

掩模支撑结构支撑图案形成装置，例如承载其重量。其以取决 于图案形成装置的取向、光刻装置的设计以及其它条件的方式保持 图案形成装置，该其它条件诸如例如图案形成装置是否被保持在真 空环境中。掩模支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技 术来保持图案形成装置。掩模支撑结构可以是框架或者台，例如其 可以是固定的或者根据需要而可移动。掩模支撑结构可以确保图案 形成装置处于所需位置处，例如相对于投影系统。在本文中对于术 语“掩模版”或者“掩模”的任何使用可以视作与更通用术语“图 案形成装置”相同含义。

在本文中使用的术语“图案形成装置”应该广义地解释为涉及 可以用于赋予辐射束以截面中的图案以便于在衬底的目标部分中形 成图案的任何装置。应该注意的是，被赋予至辐射束的图案可以并 非精确地对应于衬底的目标部分中的所需图案，例如如果图案包括 相移特征或者所谓的辅助特征。通常，被赋予至辐射束的图案将对 应于在目标位置中正在形成的装置(诸如集成电路)中的特定功能 层。

图案形成装置可以是透射式或者反射式的。图案形成装置的示 例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光 刻中是已知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型 和衰减相移掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列 的示例采用了小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以单独地倾 斜以便于在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束 中赋予了由反射镜矩阵反射的图案。

在本文中使用的术语“投影系统”应该广义地解释为涵盖任何 类型投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁性、电磁和静电光 学系统，或者其任意组合，针对正在使用的曝光辐射或者针对其它 因素(诸如使用浸没式液体或者使用真空)视情况而定。在本文中 对于术语“投影透镜”的任何使用可以视作与更通用术语“投影系 统”含义相同。

如在此所示，装置是透射式类型(例如采用透射式掩模)。备选 地，装置可以是反射式类型(例如采用如上所述类型的可编程反射 镜阵列，或者采用反射式掩模)。

光刻装置可以是具有两个(双台)或多个衬底台或“衬底支撑 件”(和/或两个或更多掩模台或者“掩模支撑件”)的类型。在这种 “多台”机器中，额外的台或支撑件可以并行使用，或者可以在一 个或多个台或支撑件上执行预备步骤而一个或多个其它台或支撑件 正用于曝光。

光刻装置也可以是如下类型，其中衬底的至少一部分可以由具 有相对较高折射率的液体(例如水)覆盖，以便于填充在投影系统 和衬底之间的空间。浸没式液体也可以应用至光刻装置中的其它空 间，例如在掩模与投影系统之间。浸没式技术可以用于增大投影系 统的数值孔径。如在本文中使用的术语“浸没式”并非意味着诸如 衬底之类的结构必需浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体 位于投影系统和衬底之间。

参照图1，照明器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻装置可 以是单独的实体，例如当源是受激准分子激光器时。在这种情况下， 源并非视作形成光刻装置的一部分，并且辐射束借助于包括例如合 适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD而从源SO传送至照 明器IL。在其它情况下，例如当源是汞灯时，源可以是光刻装置的 整体部分。源SO和照明器IL、以及如果需要的话与束传递系统BD 一起可以称作辐射系统。

照明器IL可以包括被配置用于调整辐射束的角强度分布的调整 器AD。通常，可以调整在照明器的光瞳面中的强度分布的至少外和 /或内径向范围(通常分别称作σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以 包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照明器可以用于 调整辐射束以在其截面中具有所需的均匀性以及强度分布。

辐射束B入射在被保持于掩模支撑结构(例如掩模台MT)上的 图案形成装置(例如掩模MA)上，并且由图案形成装置来图案化。 在穿过掩模MA之后，辐射束B通过投影系统PS，投影系统将束聚 焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感 器IF(例如干涉测量装置、线性编码器或者电容传感器)，衬底台 WT可以精确地移动，例如以便于在辐射束B的路径中对不同目标 部分C进行定位。类似地，第一定位装置PW和另一位置传感器(图 1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径而对掩模MA进 行精确地定位，例如在从掩模库机械式重新取出之后或者在扫描期 间。通常，掩模台MT的移动可以借助于形成第一定位装置PM的 一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)来实 现。类似地，衬底台WT或者“衬底支撑件”的移动可以使用形成 第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步 进器(与扫描器相反)的情况下，掩模台MT可以仅连接至短行程 致动器，或者可以是固定的。掩模MA和衬底W可以使用掩模对准 标记M1、M2以及衬底对准标记P1、P2来对准。尽管所示的衬底对 准标记占据了专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分(这些 也已知作为划线对准标记)之间的空间中。类似地，在其中多于一 个管芯设置在掩模MA上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之 间。

所示装置可以用于以下模式的至少一个：

1.在步进模式下，掩模台MT或者“掩模支撑件”以及衬底台WT 或者“衬底支撑件”基本上保持固定，而被赋予至辐射束的整个图 案一次性投影到目标部分C上(也即单次静态曝光)。随后沿X和/ 或Y方向移动衬底台WT或者“衬底支撑件”以使得可以曝光不同 的目标部分C。在步进模式下，曝光区域的最大尺寸限制了在单次 静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式下，掩模台MT或者“掩模支撑件”以及衬底台WT 或者“衬底支撑件”被同步地扫描，而同时被赋予至辐射束的图案 被投影到目标部分C上(也即单次动态曝光)。衬底台WT或者“衬 底支撑件”相对于掩模台MT或者“掩模支撑件”的速度和方向可 以由投影系统PS的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模 式下，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽 度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(沿 扫描方向)。

3.在另一模式下，掩模台MT或者“掩模支撑件”保持基本上固定， 而保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT或“衬底支撑件”移 动或者扫描而同时被赋予至辐射束的图案被投影到目标部分C上。 在该模式下，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT或“衬底支 撑件”的每次移动之后、或者在扫描期间的相继辐射脉冲之间根据 需要更新可编程图案形成装置。该操作模式可以容易地应用于利用 了可编程图案形成装置的无掩模光刻，诸如如上所述类型的可编程 反射镜阵列。

也可以采用如上所述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全 采用不同的使用模式。本发明除了这些之外还涉及具有支撑件的光 刻装置。支撑件设置有用于保持物体的突节。支撑件或者其一部分 已经采用光刻制造方法进行制造，例如MEMS技术，以便于形成其 取向或位置均单独电可控的突节。

在光刻装置中用于保持诸如掩模或衬底之类的物体的支撑件可 以采用光刻制造方法制造。方法可以包括，在支撑件的第一侧上沉 积辐射敏感层，以及将辐射的束投影到支撑件的第一侧上的辐射敏 感层上。这可以例如在支撑件的第一侧上沉积了导电材料之后完成。 接着，可以显影抗蚀剂并且被暴露于辐射的(正性)抗蚀剂可以通 过显影剂清洗掉。在下一个步骤中，未被已显影抗蚀剂覆盖的导电 层可以被刻蚀掉。以此方式，可以在支撑件的第一侧上提供导电图 案。取决于束已经向抗蚀剂提供的图案，导电层可以具有不同功能。

例如，图案可以用于向支撑件S提供电极E1(参见图2)。电极 E1可以与另一电极E2协同工作。在电极之间，可以通过向电极E1、 E2充电而提供电容性力。该力可以用于使支撑件S变形以便于在具 有改进的平整度的突节BR的顶部上保持物体W。电极E2可以靠近 突节BR而设置在柔性板中，以提供对于突节BR的良好控制。支撑 件S可以设置有支撑壁SW以在电极E1、E2之间形成空间，以使得 电极可以相对于彼此移动。靠近突节BR的电极E2可以是无源的， 而电极E1可以经由连线CL或无限链路进行充电。电极E1可以包 括三个(参见E13)或四个(参见E14)部分以便于以三个自由度控 制在突节BR上的力F。诸如例如电容传感器CN和/或加速传感器 AS之类的传感器可以用于控制在突节BR上的力F。图案可以用于 提供连接至电极E1、E2中的至少一个、以及支撑件S中的加速传感 器AS或电容传感器CN中的一个的控制器，以控制反馈回路中的静 电力使其达到特定设置点值。停止件SM可以用于限制突节BR移动 至最大限度。

图案可以用于提供加热器HT(参见图3)至支撑件S和/或提供 电流至加热器HT。加热器HT可以用于(局部地)加热支撑件S和 /或物体W。加热可以用于抵消过剩的冷却或者通过热膨胀调整支撑 件S和/或物体W的形状。图案可以用于提供传感器SN至支撑件S， 例如温度传感器SN可以被提供至支撑件S以测量支撑件S和/或物 体W的温度。传感器SN可以设置在邻接加热器HT处或者在加热 器HT的顶部上，以使得两者设置在支撑件S的不同侧上。加热器 HT可以是红外辐射器以加热物体W，并且传感器SN可以是IR传 感器以测量物体温度。备选地，传感器DS可以是用于测量例如 193nm或EUV辐射的曝光辐射的剂量传感器。图案可以用于提供连 接至支撑件S中的加热器HT和温度传感器SN的控制器，以控制反 馈回路中温度至特定的设置点值。支撑件S和物体W之间的空间SP 可以设置有气体，例如氢气或氩气，以增强在加热器HT和物体W 之间的热传输。

由光刻方法制造的支撑件可以具有被提供至支撑件的静电夹。 可以以如下方式控制静电夹，在该方式中可以调整夹持力以调整诸 如衬底、掩模或反射镜之类的物体的形状。支撑件因此可以设置有 柔性的突节并且允许通过调整夹持力来对物体进行位置调整。

由光刻方法制造的支撑件可以用于校正场曲。通过调整物体的 形状，可以最小化场曲的影响。为此目的，可以调整夹持力和/或可 以调整突节，以便于调整物体的形状。

由光刻方法制造的支撑件可以设置有压电部件，并且压电部件 可以用于调整突节的形状。

在光刻装置中用于保持诸如掩模或衬底之类的物体的支撑件上 的突节BR也可以采用光刻制造方法制造。方法可以包括在第一侧上 沉积辐射敏感层，以及将辐射束投影到支撑件的第一侧上的辐射敏 感层上。随后，可以显影抗蚀剂，并且可以由显影剂清洗掉被暴露 于辐射的(正性)抗蚀剂。在下一个步骤中，支撑件的未由显影抗 蚀剂覆盖的部分可以部分地被刻蚀掉以形成突节BR。方法也可以用 于在突节BR的顶部上提供小沟槽，以便于减小支撑件和物体之间的 粘附。也可以在不在突节的顶部上提供抗蚀剂的情况下辐射突节， 以使得突节粗糙。

可以采用抗磨损层涂覆支撑件，例如氮化铬、氮化钛、氮化硼、 碳化硅、类金刚石碳或SiSiC。

支撑件可以翻转并且辐射敏感层可以沉积在支撑件的第二侧 上。辐射束可以对支撑件第二侧上的辐射敏感层进行曝光。

在实施例中，提供了一种光刻装置，光刻装置包括用于保持物 体的支撑件，以及用于处理物体的物体处理器，其中支撑件可由物 体处理器处理。支撑件可以具有如上所述任何特征。这具有的优点 在于，其能够易于从光刻装置更换支撑件。在使用期间，支撑件可 能被磨损或者污染。当到达一定量磨损或污染时，可能需要更换支 撑件以维持对于物体的合适的支撑。通过使用物体处理器更换支撑 件，这可以快速完成，因为对于操作者而言无需打开装置以及手动 移除支撑件。这导致装置的较少的停机时间。

物体处理器可以被布置用于将物体和支撑件加载到光刻装置 中，或者从光刻装置卸载物体和支撑件，或者两者均可。光刻装置 可以设置有多个物体处理器，例如一个用于加载物体而一个用于卸 载物体。这可以减小加载和卸载衬底所需的时间。针对加载和卸载 仅提供单个物体处理器可以导致装置的较低成本。

支撑件可以具有与衬底基本上相同的尺寸。这具有的优点在于， 基本上无需改变物体处理器以处理支撑件。从处理观点看，支撑件 和物体之间没有区别。此外，其可以具有的优点在于，规则衬底可 以用作起始材料以形成支撑件。

物体可以是衬底，其中支撑件连接至衬底定位器PW以用于在 对衬底曝光期间定位衬底。支撑件可以是衬底台的包括衬底定位器 PW的部分，衬底定位器PW相对于投影系统精确地移动衬底以使得 图案可以精确地投影到衬底上。当更换支撑件时，晶片台的一部分 保留在装置中，例如具有电动机和/或传感器的部分。

尽管在该上下文中对于在IC制造中使用光刻装置做出了参考， 但是应该理解的是在本文中所述的光刻装置可以具有其它应用，诸 如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及探测图案、平板显示器、 液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将知晓的 是，在这些备选应用的上下文中，在本文中术语“晶片”或“管芯” 的任何使用可以视作分别与更通用术语“衬底”、“目标部分”或“反 射镜”具有相同含义。在曝光之前或者之后，在例如轨道(其为通 常应用抗蚀剂层至衬底并且对已曝光抗蚀剂显影的工具)、量测工具 和/或检查工具中，可以处理在本文中所述的衬底。当可适用时，在 本文中的公开内容可以应用于这种和其它衬底处理工具。此外，衬 底可以被处理多于一次，例如以便于形成多层IC，以使得在本文中 使用的术语衬底也可以指代已经包含多个处理层的衬底。

尽管已经在光学光刻的上下文中对于本发明的实施例的使用做 出了具体参考，但是应该知晓的是本发明可以用于其它应用，例如 压印光刻，并且其中上下文允许的话，不限于光学光刻。在压印光 刻中，图案形成装置中的形貌限定了形成在衬底上的图案。一旦通 过应用电磁辐射、热量、压力或其组合而固化了抗蚀剂，则图案形 成装置的形貌可以被挤压到被供应至衬底的抗蚀剂层中。图案形成 装置从抗蚀剂移出，在抗蚀剂固化之后在其中留下了图案。

在本文中使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐 射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157、或 126nm波长)以及深紫外(EUV)辐射(例如具有在5－20nm的范 围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或者电子束。

如上下文允许的术语“透镜”可以指代各种类型的光学部件的 任何一个或者组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

尽管已经如上描述了本发明的具体实施例，但是应该知晓的是 本发明可以与如上所述不同而实施。例如，本发明可以采用包含了 描述如上所述方法的计算机可读指令的一个或多个序列的计算机程 序的形式，或者具有存储在其中的这种计算机程序的数据存储介质 (例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

以上描述意在示意性并非限定性。因此，对于本领域技术人员 而言明显的是，可以不脱离如以下列出的权利要求的范围而对所描 述的本发明做出修改。