一种Ce3+激活的石榴石结构荧光粉及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ce3+激活的石榴石结构荧光粉，化学表达式为：Mg2-aAaY2-x-bBbM2N2O12:xCe3+式中：A为Ba、Sr、Ca中的一种或两种以上的组合,B为Gd、La、Sc中的一种或两种以上的组合，M为Al、Ga中的一种或两种任意比例的组合，N为Si、Ge中的一种或两种任意比例的组合，x、a、b为各自的摩尔分数，它们的取值范围为：0.01≤x≤0.12，0≤a≤0.2，0≤b≤0.2。本发明提供的荧光粉在波长为460nm蓝光激发下，可以发出波长范围为500到750nm的橙黄光，可以应用在白光LED中。

说明书

技术领域

本发明属于发光材料技术领域，具体涉及应用于半导体照明的荧 光粉，尤其是涉及一种可被蓝光LED芯片有效激发而发射橙黄光的 荧光粉及其制备方法。

背景技术

白光LED的制造方法中，在蓝色InGaN芯片上涂覆黄色荧光粉 的方法由于其方法简单、成本低廉，并且所得到的LED器件效率高， 而受到最多的关注。所使用的黄色荧光粉中，Ce³⁺离子激活的钇铝石 榴石(Y₃A1₅O₁₂:Ce³⁺,简称YAG:Ce³⁺)由于可以高效地吸收蓝光并将 其转换成黄光，从而成为目前最重要的商用黄色荧光粉。由InGaN 芯片复合YAG:Ce³⁺荧光粉制出的白光LED，其效率可以超过 80lm/W，几乎可以和荧光灯的效率媲美。但是由于YAG:Ce³⁺荧光粉 发射光谱中绿色成分过多而红色成分太少，与蓝光LED芯片复合后， 只能产生相对色温(CCT)高于4500K的白光。这种白光由于色调偏冷、 显色性差，一般只能用于户外照明光源比如路灯、车头灯等，而不宜 作为室内照明光源，从而严重制约了白光LED的发展。为了制造能 产生CCT在2500-3200K内的暖白光LED，需要在YAG:Ce³⁺黄色荧 光粉中混入(Sr,Ca)S:Eu²⁺、(Ba,Sr,Ca)₂Si₅N₈:Eu²⁺、CaAlSiN₃:Eu²⁺等能 被蓝光激发的硫化物、氮化物基质红色荧光粉。这种方法虽然可以在 一定程度上弥补YAG:Ce³⁺荧光粉的不足，但是也带来新的问题:首先 是硫化物、氮化物有其各自的缺点，比如前者的化学稳定性不好，并 且对环境有害，而后者的制备条件很苛刻，成本很高；其次，由于不 同荧光粉之间发射能量的再吸收，使得其发光颜色不稳定。因此，开 发新型的LED用黄色荧光粉成为一个热门的课题。

在新型黄色荧光粉的设计与选择过程中，能产生强晶体场的石榴 石结构基质受到了人们的重视。2006年，Setlur等报道了Ce³⁺激活的 主相为石榴石结构的荧光粉Lu₂CaMg₂Si₃O₁₂:Ce³⁺的发光特性。 Lu₂CaMg₂Si₃O₁₂:Ce³⁺荧光粉的发光特性表明石榴石结构硅酸盐是潜 在的黄光材料的优良基质。至今已见报道的利用固相反应法得到的石 榴石结构的硅酸盐并不多见。除了Ce³⁺激活的Lu₂CaMg₂Si₃O₁₂之外， 只有Ce³⁺激活的Ca₃Sc₂Si₃O₁₂。Lu₂CaMg₂Si₃O₁₂:Ce³⁺荧光粉的发射主 峰在605nm。量子效率为60％，将Lu₂CaMg₂Si₃O₁₂:Ce³⁺与蓝光LED 芯片进行封装，得到的白光色温为3500K，但是其显色性比较低， 仅为76，容易导致颜色失真。而Ca₃Sc₂Si₃O₁₂:Ce³⁺荧光粉的主峰在 505nm，发射的是绿光，无法直接与蓝光芯片组合发射白光，需要与 红光荧光粉组合才能够得到白光。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种新 型的发射波长相对于YAG:Ce³⁺明显红移、制备温度低的白光LED用 铈离子激活的石榴石结构荧光粉及其制备方法。

本发明采用的技术方案是：

一种Ce³⁺激活的石榴石结构荧光粉，其特征在于所述荧光粉的化 学表达式为：

Mg_2-aA_aY_2-x-bB_bM₂N₂ O₁₂:xCe³⁺

式中：A为Ba、Sr、Ca中的一种或两种以上的组合,B为Gd、 La、Sc中的一种或两种以上的组合，M为Al、Ga中的一种或两种任 意比例的组合，N为Si、Ge中的一种或两种任意比例的组合，x、a、 b为各自的摩尔分数，它们的取值范围为：0.01≤x≤0.12，0≤a≤0.2， 0≤b≤0.2。

进一步，优选0.03≤x≤0.09。

本发明提供的荧光粉中，a、b各自可以为0，即不掺杂A元素或 B元素。a和b同时为0时，即表示荧光粉中同时不掺杂A和B。

进一步，A优选为Ba、Sr或Ba、Sr、Ca物质的量之比1：0.5～1.5： 0.5～1.5的混合。

B优选为La或Gd。

M优选为Al、Ga或Al、Ga物质的量之比为1：0.1～10的组合。

N优选为Si、Ge或Si、Ge物质的量之比为1：0.1～10的组合。

进一步，优选本发明所述荧光粉最基本的结构式为 Mg₂Y_2-xM₂N₂O₁₂:xCe³⁺，掺杂A、B离子和改变M、N的成分可调整 荧光粉的性能。

本发明还提供所述荧光粉的制备方法，可采用高温固相法来制 备，所述方法为：按照荧光粉的化学表达式：Mg_2-aA_aY_2-x-bB_bM₂N₂O₁₂:xCe³⁺，式中：A为Ba、Sr、Ca中的一种或两种以上的组合,B 为Gd、La、Sc中的一种或两种以上的组合，M为Al、Ga中的一种 或两种任意比例的组合，N为Si、Ge中的一种或两种任意比例的组 合，x、a、b为各自的摩尔分数，它们的取值范围为：0.01≤x≤0.12， 0≤a≤0.2，0≤b≤0.2；

以分别含化学表达式中的各元素的化合物为原料，，按上述化学 表达式中各元素的摩尔比例称取相应的所述原料，直接以固体粉末研 磨混匀得前驱体，将前驱体放在还原性气氛中，升温至900℃～1350℃ 温度下焙烧1～5次(优选1～2次)，得到最终焙烧产物；所述升温速 率通常为5℃/min～20℃/min，每次焙烧时间为5～24小时，每两次焙 烧之间冷却到室温进行研磨处理，最后一次焙烧在还原性气氛下进 行，所述还原性气氛为含5-10v％氢气的氮气混合气或含5-10v％一氧 化碳的氮气混合气，最终焙烧产物经破碎、磨细、粒径分级，并经洗 涤除杂、烘干即制得所述的Ce³⁺激活的石榴石结构荧光粉。

本发明所述研磨可在玛瑙研钵或球磨机中进行。

所述粒径分级的方法为沉降法、筛分法或气流法中的一种或几 种。

最终焙烧产物经破碎、磨细、粒径分级，是指采用手工破碎后再 以球磨方式使烧结体的颗粒尺寸磨细，经沉降法、筛分法或气流法分 级，取粒度为3～10微米的固体粉末。

所述洗涤除杂、烘干是依次用水、甲醇洗涤，过滤分离出固相， 于100℃～115℃烘干。

所述荧光粉的原料为分别含化学表达式中的各元素的化合物，可 根据化学表达式中含有的各种元素选取含有该元素的化合物作为原 料。具体的，所述荧光粉的原料包括各自含Mg、Y、M、N、Ce的化 合物，荧光粉中掺杂A或B时，则原料还包括各自含A或B的化合 物。

更具体的，所述含Mg、Ca、Sr或Ba的化合物为含Mg、Ca、 Sr或Ba各自对应的氧化物、碳酸盐、氢氧化物或硝酸盐；含Al的 化合物为氧化铝、氢氧化铝或硝酸铝中；含Y或Ce的化合物为含Y 或Ce各自对应的氧化物或硝酸盐；含Si的化合物为二氧化硅或硅酸 钠；含Ge、Gd、Ga或Sc的化合物为含Ge、Gd、Ga或Sc各自对应 的氧化物；含La的化合物为氧化镧、硝酸镧、氢氧化镧或碳酸镧。

本发明提供的Ce³⁺激活的石榴石结构荧光粉是一种在蓝光激发 下发橙黄光的荧光粉。

本发明所述Ce³⁺激活的石榴石结构荧光粉可以应用在白光LED 中。

具体的，所述应用的方法为，Ce³⁺激活的石榴石结构荧光粉与蓝 光LED二极管芯片封装，用于制备白光LED。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

1)本发明通过采用上述技术方案，加入Ce³⁺做激活剂得到的石 榴石结构荧光粉，是一种适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用 的新型材料，其烧结温度比合成YAG:Ce(T＝1400～1600℃)低，节能。

2)本发明所述的荧光粉可以吸收在450nm到500nm的蓝光，因 此能够被波长为450nm到470nm的蓝光InGaN有效激发，发射光谱 的范围为500nm到750nm。更具体的是，本发明在波长为460nm蓝 光激发下，所述石榴石结构荧光粉的发射波长范围为500到750nm， 其主峰在601nm左右，与YAG:Ce³⁺相比红移了大约60nm。利用波 长为460nm到470nm的GaN基蓝光LED基础光源来激发，从而被 激发出橙黄光，剩余的蓝光与橙黄光混合后可产生白光本发明与 YAG:Ce³⁺相比，其显色指数更高，色温更低。

附图说明

图1是本发明实施例1制得的掺Ce³⁺的石榴石结构荧光粉的激发 光谱和发射光谱图。

图中：实线部分是激发光谱图，虚线部分是发射光谱图。

图2是本发明实施例1制得的掺Ce³⁺的石榴石结构荧光粉的X 射线衍射谱图。

具体实施方式

下面以具体实施例来对本发明的方案作进一步说明，但本发明的 保护范围不限于此。

实施例1：

Mg₂Y_1.97Al₂Si₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、1.1121克三氧化二钇(Y₂O₃)、 0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0258克氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧 化二铝(Al₂O₃)，以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在 玛瑙研钵中，研磨均匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气 混合气为还原气氛，升温速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，自 然冷却至室温，将预烧过的样品取出再次研磨，再以10℃/min的速 度升至所需温度(1350℃)，恒温8h，冷却至室温。得到的烧结产品 经破碎后，用球磨磨细，筛分法得到粒度在3～10微米的固体粉末， 依次用去离子水(30ml)和甲醇(20ml)洗涤后过滤分离出荧光粉， 在120℃的烘箱中烘干8小时即得到荧光粉产品。该荧光粉在460nm 的蓝光激发下的发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长599 nm。色坐标为(x＝0.500,y＝0.485)。

本实施例制得的掺Ce³⁺的石榴石结构荧光粉的激发光谱和发射 光谱谱图如附图1所示，其中实线部分是激发光谱谱图(λem＝599nm)， 虚线部分是发射光谱谱图(λex＝460nm)。

从图1中可以看出，该荧光粉在460nm的蓝光激发下的发射波 长在500nm到750nm之间，发射主波长分别为599nm。测得其色 坐标为(x＝0.500,y＝0.485)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝 光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。

图2是实施例1制得的掺Ce³⁺的石榴石结构荧光粉的X射线衍 射谱图，图2可以看出，所制得的荧光粉为石榴石结构。实施例2：

Mg_1.8Ba_0.2Y_1.97Al₂Si₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.3627克氧化镁(MgO)、0.1974克碳酸钡(BaCO₃)、 1.1121克三氧化二钇(Y₂O₃)、0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0258克 氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧化铝(Al₂O₃)，以上原料纯度均在99％ 以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中研磨均匀后得到前驱体，将所 得到的前驱体置于刚玉坩埚中，以5v％氢气的氮气混合气作为还原气 氛，在马弗炉中以10℃/min的速度升温至900℃，恒温8h。将预烧 过的样品取出再次研磨，再以10℃/min的速度升至所需温度 (1340℃)，恒温12h，冷却至室温，得到的烧结产品经破碎后，用球 磨磨细，筛分法得到粒度在3～10微米的固体粉末，依次用去离子水 (30ml)和甲醇(20ml)洗涤后过滤分离出荧光粉，在110℃的烘 箱中烘干12小时即得到荧光粉产品。该荧光粉在460nm的蓝光激发 下，发射主峰为601nm，发射波长在500nm到750nm之间。色坐 标为(x＝0.523，y＝0.468)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝 光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。 该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。实施例3：

Mg_1.85Sr_0.05Ca_0.05Ba_0.05Y_1.94Al₂Si₂O₁₂:0.06Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.3728克氧化镁(MgO)、0.0494克碳酸钡(BaCO₃)、 0.0369克碳酸锶(SrCO₃)、0.0250克碳酸钙(CaCO₃)、3.7152克六水 合硝酸钇(Y(NO₃)₃·6H₂O)、0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0516克氧 化铈(CeO₂)、0.3900克氢氧化铝(Al(OH)₃)，以上原料纯度均在99％ 以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中，研磨均匀以后，装入刚玉坩 埚中，以含5v％氢气的氮气混合气为还原气氛，升温速率为10℃/min， 升到900℃，然后恒温8小时，冷却至室温。将预烧过的样品取出再 次研磨，再以5℃/min的速度升至所需温度(1350℃)，恒温8h，冷却 至室温，得到的烧结产品经破碎后，用球磨磨细，筛分法得到粒度在 3～10微米的固体粉末，依次用去离子水(30ml)和甲醇(20ml) 洗涤后过滤分离出荧光粉，在110℃的烘箱中烘干10小时即得到荧 光粉产品。该荧光粉在460nm的蓝光激发下的发射波长在500nm到 750nm之间，发射主波长为602nm。色坐标为(x＝0.519,y＝0.472)。 该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝光激发，是适合于蓝光LED 芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。该荧光粉的X射线衍射谱 图与图2类似，为石榴石结构。

实施例4：

Mg₂Y_1.97Ga₂Si₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、1.8863克六水合硝酸钇 (Y(NO₃)₃·6H₂O)、0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0651克六水合硝酸 铈(Ce(NO₃)₃·6H₂O)、0.9372克氧化镓(Ga₂O₃)，以上原料纯度均在 99％以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中，研磨均匀以后，装入刚 玉坩埚中，以含5v％一氧化碳的氮气混合气为还原气氛，升温速率为 10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室温，将预烧过的样品取出 再次研磨，再以10℃/min的速度升至所需温度(1250℃)，恒温8h， 冷却至室温，再次研磨，再以10℃/min的速度升至所需温度(1300℃)， 恒温10h。得到的烧结产品经破碎后，用球磨磨细，筛分法得到粒度 在3～10微米的固体粉末，依次用去离子水(30ml)和甲醇(20ml) 各洗涤两次，最后过滤分离出荧光粉，在110℃的烘箱中烘干15小 时即得到荧光粉产品。该荧光粉发射波长光在500nm到750nm之 间，发射主波长为610nm，色坐标(x＝0.519,y＝0.471)。该荧光粉可 被从400nm到500nm的蓝光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的 白光LED应用的新型荧光粉。该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类 似，为石榴石结构。

实施例5：

Mg₂Y_1.91Al₂Ge₂O₁₂:0.09Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、1.0782克三氧化二钇(Y₂O₃)、 0.0774克氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧化铝(Al₂O₃)、1.0464克氧 化锗(GeO₂)，以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛 瑙研钵中研磨均匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气混合 气为还原气氛，升温速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至 室温。将预烧过的样品取出再次研磨，再以10℃/min的速度升至所 需温度(1300℃)，恒温15h，冷却至室温，得到的烧结产品经破碎后， 用球磨磨细，筛分得到粒度在3～10微米的固体粉末荧光粉。该荧光 粉的发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长为608nm，色 坐标为(x＝0.509,y＝0.481)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝 光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。 该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。

实施例6：

Mg₂Y_1.88La_0.05Al₂Si₂O₁₂:0.07Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、3.6003克六水合硝酸钇 (Y(NO₃)₃·6H₂O)、0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0602克氧化铈(CeO₂)、 0.5098克三氧化铝(Al₂O₃)、0.0407克三氧化二镧(La₂O₃)，以上原 料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中，研磨均匀以 后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气混合气为还原气氛，升温 速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室温，将预烧过的样 品取出再次研磨，再以10℃/min的速度升至所需温度(1350℃)，恒 温8h，冷却至室温。得到的烧结产品经破碎后，用球磨磨细，筛分 法得到粒度在3～10微米的固体粉末，依次用去离子水(30ml)和 甲醇(20ml)各洗涤两次，最后过滤分离出荧光粉，在100℃的烘 箱中烘干20小时即得到荧光粉产品。该荧光粉在460nm蓝光激发下 的发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长为601nm，色坐 标为(x＝0.508,y＝0.482)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝光 激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。 该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。

实施例7

Mg₂Y_1.87La_0.1Al₂ Si_1.8Ge₀.₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、1.7906克三氧化二钇(Y₂O₃)， 0.5407克二氧化硅(SiO₂)、0.0258克氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧 化铝(Al₂O₃)、0.0814克三氧化二镧(La₂O₃)、0.1046克氧化锗(GeO₂)， 以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中研磨均 匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％一氧化碳的氮气混合气为还原气 氛，升温速率为5℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室温，将预 烧过的样品取出再次研磨，再以5℃/min的速度升至所需温度 (1320℃)，恒温15h，冷却至室温。取烧结产物研磨后再升温，按上 述焙烧条件焙烧2次，得到的烧结产品经破碎后用球磨磨细，沉降法 得到粒度在3～10微米的固体粉末，依次用去离子水(30ml)和甲 醇(20ml)各洗涤两次，最后过滤分离出荧光粉，在110℃的烘箱 中烘干20小时即得到荧光粉产品。该荧光粉在460nm蓝光激发下的 发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长为604nm，覆盖了 整个可见光范围。色坐标为(x＝0.508,y＝0.482)。该荧光粉可被从400 nm到500nm的蓝光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED 应用的新型荧光粉。该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石 榴石结构。

实施例8：

Mg₂Y_1.90Gd_0.05Al₂Si₂O₁₂:0.05Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.4030克氧化镁(MgO)、1.0726克三氧化二钇(Y₂O₃)， 0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0430克氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧 化铝(Al₂O₃)、0.0453克三氧化二钆(Gd₂O₃)，以上原料纯度均在 99％以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中，研磨均匀以后，装入刚 玉坩埚中，以含5v％一氧化碳的氮气混合气为还原气氛，升温速率为 10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室温，将预烧过的样品取出 再次研磨，再以5℃/min的速度升至所需温度(1350℃)，恒温8h，冷 却至室温。得到的烧结产品经破碎后，用球磨磨细，沉降法得到粒度 在3～10微米的固体粉末，依次用去离子水(30ml)和甲醇(20ml) 各洗涤两次，最后过滤分离出荧光粉，在110℃的烘箱中烘干20小 时即得到荧光粉产品。该荧光粉在460nm蓝光激发下的发射波长在 500nm到750nm之间，发射主波长为592nm，覆盖了整个可见光 范围。色坐标为(x＝0.481,y＝0.496)。该荧光粉可被从400nm到500 nm的蓝光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新 型荧光粉。该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。

实施例9：

Mg_1.8Ba_0.2Y_1.87Gd_0.1Al₂Si₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.3627克氧化镁(MgO)、0.1974克碳酸钡(BaCO3)、 1.0557克三氧化二钇(Y₂O₃)，0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0258克 氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧化铝(Al₂O₃)、0.0906克三氧化二钆 (Gd₂O₃)，以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛瑙 研钵中研磨均匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气混合气 为还原气氛，升温速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室 温。将预烧过的样品取出再次研磨，再以10℃/min的速度升至所需 温度(1350℃)，恒温8h，将烧过的样品重新研磨，再以10℃/min的 速度升至所需温度(1350℃)，恒温8h，冷却至室温，得到的烧结产 品经破碎后，用球磨磨细，筛分得到粒度在3～10微米的固体粉末荧 光粉。该荧光粉的发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长为 608nm，色坐标为(x＝0.481,y＝0.496显色指数Ra＝91。该荧光粉可被 从400nm到500nm的蓝光激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白 光LED应用的新型荧光粉。该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似， 为石榴石结构。

实施例10：

Mg_1.85Sr_0.05Ca_0.05Ba_0.05Y_1.77Gd_0.2Al₂Si₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.3729克氧化镁(MgO)、0.0494克碳酸钡(BaCO3)、 0.0369克碳酸锶(SrCO₃)、0.0250克碳酸钙(CaCO₃)、2.9914克六水 合硝酸钇(Y(NO₃)₃·6H₂O)、0.6008克二氧化硅(SiO₂)、0.0258克氧 化铈(CeO₂)、0.5098克三氧化铝(Al₂O₃)、0.1812克三氧化二钆 (Gd₂O₃)，以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛瑙 研钵中研磨均匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气混合气 为还原气氛，升温速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室 温。将预烧过的样品取出再次研磨，再以5℃/min的速度升至所需温 度(1340℃)，恒温10h，冷却至室温，得到的烧结产品经破碎后，用 球磨磨细，筛分得到粒度在3～10微米的固体粉末荧光粉。该荧光粉 的发射波长在500nm到750nm之间，发射主波长为608nm，色坐 标为(x＝0.481,y＝0.495)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝光 激发，是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。 该荧光粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。

实施例11：

Mg_1.85Sr_0.05Ca_0.05Ba_0.05Y_1.77Gd_0.2Al₂Ge₂O₁₂:0.03Ce³⁺荧光粉的制备。

制备方法如下：

分别称取0.3729克氧化镁(MgO)、0.0494克碳酸钡(BaCO₃)、 0.0369克碳酸锶(SrCO₃)、0.0250克碳酸钙(CaCO₃)、2.9914克六水 合硝酸钇(Y(NO₃)₃·6H₂O)、0.0258克氧化铈(CeO₂)、0.5098克三氧 化铝(Al₂O₃)、0.1812克三氧化二钆(Gd₂O₃)、1.0464克氧化锗(GeO₂)， 以上原料纯度均在99％以上。将上述原料混合物在玛瑙研钵中研磨均 匀以后，装入刚玉坩埚中，以含5v％氢气的氮气混合气为还原气氛， 升温速率为10℃/min，以900℃焙烧8小时，冷却至室温。将预烧过 的样品取出再次研磨，再以5℃/min的速度升至所需温度(1310℃)， 恒温10h，冷却至室温，得到的烧结产品经破碎后，用球磨磨细，筛 分得到粒度在3～10微米的固体粉末荧光粉。该荧光粉的发射波长在 500nm到750nm之间，发射主波长为608nm，色坐标为 (x＝0.481,y＝0.495)。该荧光粉可被从400nm到500nm的蓝光激发， 是适合于蓝光LED芯片激发的白光LED应用的新型荧光粉。该荧光 粉的X射线衍射谱图与图2类似，为石榴石结构。