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一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料及其制备方法,属于功能陶瓷制备及应用技术领域;所述低温烧结V系ZnO压敏陶瓷材料以ZnO-V

著录项

  • 公开/公告号CN104129986A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN201410346575.9

  • 申请日2014-07-21

  • 分类号C04B35/453;C04B35/622;C04B35/63;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2023-12-17 01:24:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/453 申请公布日:20141105 申请日:20140721

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/453 申请日:20140721

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

    公开

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