栅边界氧化层完整性测试结构

摘要

本发明提供了一种栅边界氧化层完整性测试结构，包括：平行布置的多个导电条状部，其中所述多个导电条状部的一端电连接在一起，而且所述栅边界氧化层完整性测试结构包括形成在所述多个导电条状部中的与多晶硅栅极两侧的源漏区域相通的接触孔，而且所述接触孔中填充有导电材料以使得所述多个导电条状部分别与多晶硅栅极两侧的源漏区域电连接。