制造GaN混合P-I-N肖特基(MPS)二极管的方法

摘要

一种半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的III族-氮化物衬底。III族-氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。半导体结构还包括III族-氮化物外延结构，该III族-氮化物外延结构包括耦合到III族-氮化物衬底的第一侧的第一III族-氮化物外延层和多个第二导电类型的III族-氮化物区。多个III族-氮化物区在多个III族-氮化物区中的每个之间具有至少一个第一导电类型的III族-氮化物外延区。半导体结构还包括电耦合到多个III族-氮化物区中的一个或更多个和至少一个III族-氮化物外延区的第一金属结构。在第一金属结构与所述至少一个III族-氮化物外延区之间产生肖特基接触。