机译:用于贝塔伏特器件的GaN p-i-n二极管的设计与表征
机译:碳化硅合并P-I-N肖特基(MPS)二极管的导通电阻模型
机译:漂移区掺杂补偿的合并p-i-n-肖特基二极管的性能分析
机译:基于Si-MOSFET / Si二极管,SiC-JFET / SiC肖特基二极管和GaN晶体管/ SiC-肖特基二极管功率器件的非隔离式DC-DC降压转换器的对比设计和性能研究
机译:4H碳化硅栅极截止晶闸管,并合并了p-i-n和肖特基势垒二极管。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:钻石电源装置的设计:在肖特基障碍二极管应用