针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路

摘要

本发明涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，为实现针对TID进行加固的数字缓冲器电路，本发明采用的技术方案是，针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，包含4个PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4，以及两个NMOS晶体管MN1和MN2；VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号，VOUT和NVOUT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相的信号；其中，VOUT和NVOUT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相。本发明主要应用于抗辐射集成电路设计。