法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-03
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C03C15/00 申请公布日:20140716 申请日:20140318
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-08-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C03C15/00 申请日:20140318
实质审查的生效
2014-07-16
公开
公开
机译: 结合干法刻蚀和化学干法刻蚀形成半导体器件的金属硅化物层的方法
机译: 用于材料外层的切刀结合了切刀元件,分离器,提升元件,弹性夹持器元件和型材。
机译: 光学元件例如反射镜,一种用于微光刻的表面处理方法,包括以流体束的形式辐射流体到被处理的光学元件表面,并在区域内自由移动流体束和表面