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一种湿法-干法刻蚀结合提升熔石英元件阈值的表面处理方法

摘要

该发明公开了一种湿法-干法刻蚀结合提升熔石英元件阈值的表面处理方法,属于光学材料与光学元件技术领域,具体涉及一种提升熔石英元件激光损伤阈值的表面处理方法。该发明首先采用去离子水清洗传统的研磨抛光工艺加工的熔石英元件表面,然后采用无水乙醇进行超声清洗;再将熔石英元件采用氢氟酸溶液进行刻蚀处理,然后用去离子水清洗和无水乙醇脱水;最后采用含能惰性离子束进行表面抛光,去除酸刻蚀反应产物SiF62-并改善表面粗糙度。本发明可去除传统加工的熔石英元件表面残留抛光粉并钝化缺陷,同时又能获得良好的表面粗糙度。因此,本发明能快速有效提升熔石英元件的抗激光损伤能力。

著录项

  • 公开/公告号CN103922601A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201410099320.7

  • 发明设计人 祖小涛;向霞;晏中华;

    申请日2014-03-18

  • 分类号C03C15/00(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人张杨

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-20 00:15:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C03C15/00 申请公布日:20140716 申请日:20140318

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-08-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C03C15/00 申请日:20140318

    实质审查的生效

  • 2014-07-16

    公开

    公开

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