具有嵌入式硅锗源漏区域的场效应晶体管中邻近效应的减少

摘要

本发明涉及一种集成电路以及利用嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域制造所述集成电路的方法，并且其中所述嵌入式硅锗（SiGe）源/漏区域中的附近浅沟道隔离结构的邻近效应被减少。嵌入式SiGe源/漏结构在每个栅电极的任意一面上，通过选择性外延到被蚀刻进半导体表面中的凹槽中形成。所述SiGe结构以所述凹槽深度的至少大约30%溢出凹槽，如从所述沟道区域与在栅电极边缘的上覆栅介电质之间的界面所测量的。这种溢出已经被观察到能够减少附近的浅沟道隔离结构对附近的晶体管的邻近效应。通过确保所述栅电极的边缘与最近浅沟道隔离结构的平行边缘之间的足够间距，可以获得邻近效应的额外减少。