用于高密度电感器的薄膜结构和晶片级封装中的重分布

摘要

本发明公开了包括晶片衬底和金属堆叠籽晶层的封装。金属堆叠籽晶层包括钛薄膜外层。提供与金属堆叠籽晶层的钛薄膜外层接触的抗蚀剂层，该抗蚀剂层形成电路。进一步公开了用于制造封装的方法。形成具有钛薄膜外层的金属堆叠籽晶层。形成抗蚀剂层从而与金属堆叠籽晶层的钛薄膜外层接触，并且由抗蚀剂层形成电路。