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在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法

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摘要

本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-12

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/285 申请公布日:20140319 申请日:20131225

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-04-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20131225

实质审查的生效
2014-03-19

公开

公开

1. 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法 [P] . 中国专利： CN103646865A . 2014-03-19
2. 一种超薄Ge单晶衬底材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105081893B . 2018.11.06
3. Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate [P] . 法国专利： FR2978602A1 . 2013-02-01

机译：在硅衬底上沉积氧化硅层的方法，该方法用于形成例如硅的栅极。 N沟道金属氧化物半导体晶体管，包括在硅锗上形成硅层以在衬底上沉积氧化物层
4. Method for oxidizing the surface region of a SiGe layer, method for stabilizing at least one junction interface in an SGOI structure, and method for joining a SiGe layer to a substrate layer made of a semiconductor material [P] . 日本专利： JP4958797B2 . 2012-06-20

机译：氧化SiGe层的表面区域的方法，稳定SGOI结构中的至少一个结界面的方法以及将SiGe层接合到由半导体材料制成的衬底层的方法
5. Production of an ultra thin oxide grid layer on a semiconductor substrate using an interface layer and an integrating layer with minimal thickness [P] . 法国专利： FR2815773A1 . 2002-04-26

机译：使用具有最小厚度的界面层和集成层在半导体衬底上生产超薄氧化物栅极层