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黄玉清;
浙江师范大学;
PECVD; 原位; 氧化法制备; 薄氧化硅; 隧穿; 太阳电池;
机译:氩气中反应性气体的稀释对PECVD形成的超薄氧氮化硅层电物理性能的影响
机译:PECVD与超浅射频等离子体离子注入制备超薄氮氧化硅层的组成比较
机译:用PECVD法制备的具有双介电层(SiO_xN_y-HfO_2)的存储结构的氮化硅氮化物层的技术及应用
机译:在RF-PECVD中制备的(SIH4 + B2H6 + H2 + N 2 O)等离子体在RF-PECVD中制备的P型氢化氧化硅薄膜蓝响应的改进,以应用非晶硅太阳能电池
机译:使用直流鞍场PECVD制备的氢化非晶碳化硅,用于光伏应用。
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:基于PECVD碳化硅的人造介电层在太赫兹传感应用中的应用
机译:用于mEms应用的pECVD二氧化硅(siO2)层的反应离子蚀刻
机译:改性的氢化聚硅氧氮烷,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组成相同的成分,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的成分的制备方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制备二氧化硅的层的方法
机译:改性的氢化聚硅氧氮烷,用于形成包括相同成分的二氧化硅的绝缘层的成分,用于制造用于形成基于二氧化硅的绝缘层的成分的方法,用于基于二氧化硅的绝缘层的绝缘层以及用于制造二氧化硅的层的方法
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