机译:改性的氢化聚硅氧氮烷,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组成相同的成分,用于形成基于二氧化硅的绝缘层的成分的制备方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制备二氧化硅的层的方法
公开/公告号US2015225508A1
专利类型
公开/公告日2015-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 CHEIL INDUSTRIES INC.;
申请/专利号US201314429512
发明设计人 HYUN-JI SONG;EUN-SU PARK;SANG-HAK LIM;TAEK-SOO KWAK;GO-UN KIM;MI-YOUNG KIM;BO-SUN KIM;BONG-HWAN KIM;YOONG-HEE NA;JIN-HEE BAE;JIN-WOO SEO;HUI-CHAN YUN;HAN-SONG LEE;JONG-DAE JEON;KWEN-WOO HAN;SEUNG-HEE HONG;BYEONG-GYU HWANG;
申请日2013-07-15
分类号C08G77/54;H01L21/02;H01B3/02;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:27:32