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郭春林; 汪雷; 戴准; 房剑锋; 郑佳毅; 杨德仁;
浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江杭州310027;
上海殷勇电子科技有限公司,上海230088;
杭州正泰太阳能科技有限公司,浙江杭州310053;
RTO; SiO2薄膜; 太阳电池; 钝化;
机译:快速热氧化制备的超薄隧道氧化物层改善了Si / SiOx界面钝化
机译:快速热氧化形成的超薄氧化物钝化层,用于硅异质结太阳能电池
机译:快速热氧化的超薄氧化物钝化层,用于硅异质结太阳能电池
机译:超薄氧化物层钝化硅晶片的钝化:湿化学,等离子体和热氧化技术的比较
机译:超薄铝氧化铝隧道层钝化接触,用于高效晶体硅太阳能电池
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:超薄原子层沉积的TiOx层对晶体硅表面的有效钝化
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:使用中间超薄氧化硅层和外钝化介电层钝化硅表面
机译:用钝化层法形成钝化层半导体基质的组合物用钝化层法制备钝化层太阳能电池组分的方法制造太阳能电池单元和太阳能电池
机译:形成钝化层的组合物,具有钝化层的半导体基质,制备具有钝化层的半导体基体的方法,光伏电池元件,光伏电池元件和光伏电池的制备方法
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