公开/公告号CN103646864A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201310600961.1
发明设计人 江润峰;
申请日2013-11-22
分类号H01L21/285;H01L29/423;
代理机构上海申新律师事务所;
代理人竺路玲
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2024-02-19 23:02:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/285 申请公布日:20140319 申请日:20131122
发明专利申请公布后的驳回
2014-04-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20131122
实质审查的生效
2014-03-19
公开
公开
机译: 形成半导体器件的栅极间隔以确保栅极间隔的线宽并增加均匀度以消除损耗的方法
机译: 具有不同栅极长度和间隔层厚度的垂直FET
机译: 一种生成编码果糖1,6双磷酸醛缩酶(fda)的转基因植物的方法,以提高碳同化作用,从而提高炸薯条和切片行业的固体均匀度