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一种提高栅极侧墙间隔层厚度均匀度的方法

摘要

本发明公开了一种提高栅极侧墙间隔层厚度均匀度的方法,其包括提供一具有栅极结构的半导体硅片;其中,反应周期包括:通入前驱体特气至硅片表面吸附饱和,通入清洗气体,通入反应特气与硅片表面吸附的前驱体特气进行反应,再通入清洗气体;重复所述反应周期,沉积间隔SiO

著录项

  • 公开/公告号CN103646864A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201310600961.1

  • 发明设计人 江润峰;

    申请日2013-11-22

  • 分类号H01L21/285;H01L29/423;

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2024-02-19 23:02:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/285 申请公布日:20140319 申请日:20131122

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20131122

    实质审查的生效

  • 2014-03-19

    公开

    公开

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